大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于nand市场趋势的问题，于是小编就整理了4个相关介绍nand市场趋势的解答，让我们一起看看吧。
2019 NAND存储市场降价喜人，闪存制造商们是否会考虑减产提价？
作为一个“周期性市场”，NAND 闪存制造商们经历了多次的“繁荣与萧条”。尽管对于消费者来说，现阶段存储市场的价格走势很是喜人。
但是对于制造商们来说，为了防止价格***造成重大的损失，三巨头（英特尔、美光、SK 海力士）又在******取措施，防止市场的“供过于求”了。
简而言之，其将考虑减少晶圆和闪存的生产，以及调缓新工厂的产能。
【除了上述三巨头，三星也可能效仿。资料图：来自 SK Hynix ***】
据悉，向高容量 64 层和 96 层 3D NAND 技术的快速过渡，使得 NAND 闪存制造商们能够增加颗粒的供应，最终让市场趋于饱和。
与此同时，最近几个月，服务器市场对 NAND 闪存的需求一直弱于预期，智能手机的更换周期也变得越来越长。加上其它因素的影响，闪存制造商们的想法，也不难理解。
TrendForce 数据指出，NAND 供应已远超市场需求，导致 2019 年一季度多个类别的产品跌价达 20％ 。
为确保短期和长期的盈利能力，三家制造商已于过去几个月的不同时间点，宣布将***取行动，以最大限度地减少损失。
比如美光在 3 月份表示，其正在谨慎地管理其 NAND 供应的增长（至少可部分缓解供过于求的问题），并开始削减其传统制程节点的晶圆总开工量（约 5%）。
如何看待紫光国产32层NAND闪存耗资10亿美元研发？
在全球NAND闪存市场上，三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。而我们没有具备国产自主知识产权的闪存芯片，只能长期依赖进口。但是过度依赖会面临断供的风险，存储芯片时不时的涨价也会让国内终端厂商苦不堪言。
最近紫光集团表示国内首颗32层三维闪存芯片(3DNANDFlash)由长江存储耗资10亿美元，历时2年研发，预计将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存。这是一件令人振奋的事情，说明我们国产NAND闪存与国际NAND闪存的差距正在缩短。
随着智能手机发展越来越快，手机里需要承载的功能也是越来越多，并且使用双摄像头的话需要更多的存储承载手机的拍照像素。而中国是全球最大的数据产生地和消费地，存储容量和性能的需求增长迅速，并拥有全球半数以上的大客户。而3D NAND能够提供更大的容量、更好的性能和更高的可靠性。当嵌入到智能手机等移动设备中时，能够大幅度改善内存级存储，并挖掘存储容量方面的巨大增长潜力。
现在自主 DRAM 和 3D NAND 技术这条道路，紫光集团有能力研发生产出标志着我国自主品牌闪存产品，未来存储芯片供不应求的局面将有所改观，缺货的局面会得到改善，价格也会有所下调。中国在本土发展完整的芯片事业，也是中国实现“科技强国”这一目标的必经之路，我们给予支持。
所谓的NAND闪存，就是一种用来存储数据的电子元器件，我们比较常见的是在SSD硬盘中。这种闪存最大的特点就是速度快，所以现在很多人都会使用SSD硬盘来获得更高的速度。
大家也知道，在电脑里的数据都是以0和1的形式存在的，物理上对应的就是电路的断开和闭合，所以为了在硬盘里存储进去大量的数据，所以必须要在小小的闪存上集成大量的电路——也就是说，每一个电路的线路要设计的非常非常细才行，这也是为什么NAND闪存会跟CPU一样有“制程”的概念。比如说7nm制程制作出来的NAND闪存就要比14nm制造出来的闪存性能更好、集成程度更高。
而为了实现这个目的，就要用光刻级、蚀刻机之类的机械来制造NAND闪存。而这些机械都是非常昂贵的机器。比如说下图所示的ASML的光刻机，单价可以达到1亿美元以上。而再下一张图的蚀刻机，也是价格不菲。
首先我们注意到这是32层的NAND闪存。所谓的32层，意思就是为了使空间的利用效率更高，所以需要把很多层的线路叠在一起——简单点儿说，就是最开始的NAND闪存是平方，空间利用效率太低了，现在变成了楼房，而且楼房越高，空间利用效率越高。
下面这张图就展示了NAND是怎么从单层的逐渐变成了多层的3D闪存。
但是就好像楼建的越高，设计难度就越高一样，所以层数越多的NAND闪存设计难度就越大（当然，制造难度也就越大）。现在国际上比较主流的NAND芯片已经能够做到64层的了，更先进的96层也会在2018年投产。
首先，从制造难度和设计难度上看，这样的钱不算多。我们简单看一下全球前十大半导体生产厂商的研发费用：
从紫光发布的32层堆栈NAND闪存来看，虽然从技术上和世界一线厂商三星、东芝的64层3d NAND有一定差距，但是因为拥有中国自主知识产权，标志着中国厂商已经完全有能力量产NAND闪存，虽然短时间看还是象征意义大于现实意义，但长期看中国拥有自主可控的NAND闪存研发的制造能力，将摆脱闪存芯片长期受制于人的局面，对于国内NAND芯片及相关行业的发展具有战略意义。而从紫光研发32层NAND闪存耗资10亿美元看，成本还是很高的，这也是为什么我国芯片产业发展缓慢的主要原因。
紫光32层NAND的研发成功对于国内芯片行业有战略意义
虽然紫光32层NAND闪存从技术上依然和世界先进的闪存技术存在差距，前期的产量也有限对于市场的影响也不是很大，所以短期看象征意义大于现实意义。但是紫光32层NAND的研发成功，标志着中国自主NAND芯片从无到有，中国完全有能力研发并生产自主的nand芯片，有助于中国逐步摆脱在NAND芯片领域对国外企业的依赖，同时NAND芯片的研发成功也可以极大的促进中国其他核心芯片的研发和生产，从战略上讲意义非凡。
芯片行业[_a***_]巨大，必须优先发展
而紫光32层NAND闪存耗资10亿美元研发，说明芯片行业的投资十分巨大，越早研发成本越低。像早年倪光南院士率领联想全面布局芯片、通讯、软件等核心技术领域，当时和世界领先水平差距并不是很大，相对的研发成本也不是很高，当时联想如果坚持走自主研发道路的话，芯片、通讯和软件等领域都将取得非凡的成就，而不是像现在一样因为没有核心技术而陷入困局。正是因为芯片行业投资巨大，所以需要***从政策和资金上扶植芯片产业，而国内的芯片厂商和科研机构要密切协同，从战略的角度来发展芯片行业，只有这样中国的芯片产业才能健康发展，逐步缩小于世界先进技术的差距。
通过中兴***和联想最近的困局充分说明发展自主可控的芯片、软件等核心技术和产品是发展高新技术产业的必由之路。紫光国产32层NAND闪存耗资10亿美元研发成功，说明中国完全有能力研发和生产自主的芯片技术和产品，而因为研发成本高，所以更需要优先发展，国家需要在政策和资金方面扶植和引导芯片行业的发展，而芯片企业和科研机构要密切配合、协同作战，只有这样中国的芯片产业才能真正做到不受制于人，不断的做大做强。
我个人认为，只要能研发出来，钱都不是事，就算没有研发成功，我们还是累积了宝贵的经验，我认为，这些经验是用金钱买不来的，我们这一代没有研发出来，但我们积累了经验，留给后人的就是经验。这才是真正的财富。
被人牵着鼻子走，被别人卡着脖子，看别人脸色办事，难不难受？远的不说，近的中兴***是活生生的例子。说的不好听，我泱泱大国，还缺人才吗？我们不缺人才，我们缺的是担当，缺的是责任，缺的是敢于创新，敢吃螃蟹的人或者企业。看看国外的企业，国外的科技巨头，研发一个项目，失败了就扔掉了，虽然投入了大量的人力，物力，财力，但是他们累积了相当丰富的经验啊。可能从这个项目衍生出来新的产品，新的思路，这些都是无价之宝。他们敢创新，敢失败，敢从头再来。
反观国内的企业，老给人一种以氪金的态度，不是说氪金不好，企业要发展，氪金是必须得，也是必要的，但你不能想着眼前的利益啊。远的不说，近的，华为手机的麒麟处理器，04年成立，13年问世，期间可能失败，近十年的投入打水漂，人家坚持下去了。如果当初没有研发麒麟处理器，现在可能被高通，联发科卡脖子，还得看人脸色，华为自己研发的高端存储器，用于自己的产品，如果被美国盯上了，也不会像中兴那样立马宕机，好歹还能缓一缓。
12年传闻华为研发自己的系统，不管传闻是不是真的，但以华为的危机感，麒麟系统98%在实验室打磨，那天被谷歌卡脖子，好歹还能顶上，不至于立马休克。同样的，清华紫光研发出自己的闪存，我很支持，很开心，大国就要有大国的样子，不仅仅在大件上全球数一数二，还要在软实力上能够说上话。国内手机厂商不少，整天吹嘘自己的“系统”流畅堪比iOS，比谁谁谁好用，如果哪天谷歌不再给我们用了，给我们断粮了，那么国内手机厂商有几家能活下来？不要有狭隘的的自豪感，我们要的不是吹嘘，不是***大空，我们要的是真实的成绩，真实的产品。与其在新闻，头条上吹嘘，不如多搞搞研发，多创新。个人观点，，不喜勿喷
中国也就用在新技术开发上的投入成效最大，如高铁、大飞机、隐身战斗机等等，今天花十亿美元才学会的技能，就是因为三、四十年前不愿花几千万美元去学，怪谁呢？所以抛弃一切投机思想，踏踏实实从零开始，很有必要。
内存条有涨价的趋势吗？
内存条价格的涨跌趋势受到多种因素的影响，如原材料价格、供需关系、市场预期等。目前，内存条市场在某些型号和容量上出现了短缺现象，导致价格上涨。但是，随着生产技术的提高和原材料供应的改善，内存条价格可能会逐渐趋于稳定。总体来说，内存条价格存在涨价趋势，但涨幅可能会受到一定程度的控制。
内存条有涨价的趋势。
TrendForce发布新的报告，自2024年第四季度起，DRAM和NAND闪存均价开始全面上涨。其中DRAM预计按季度上涨3~8%，涨势是否能够延续还要看供应商是否坚持减产策略，以及市场的回暖程度，重点在于通用型服务器领域。
内存价格什么时候可以回落？国产内存的前景如何？
长期以来，我国半导体行业发展落后，没有量产芯片颗粒的能力，严重依赖国外芯片颗粒。
在中国的进口贸易中，仅2016年1月份到10月份，中国在进口芯片上就花费了1.2万亿人民币，是花费在原油进口上的两倍。好在现在中国正在加大在芯片领域的投资，进展尚佳。人们希冀国产内存能够打破DRAM的价格垄断，从而购买更为廉价的内存，但事实果真如此吗？
紫光研发基地
国产内存进展一览：良品率低、技术不成熟
DRAM研发是一项极其烧钱的技术。2016年，紫光集团总耗资1000亿相继在武汉、南京、成都开工建设了存储芯片与存储器制造工厂，目标打造国产晶圆及DRAM颗粒和3D NAND。而这其中，DRAM技术研发难度最大，进展也是最缓慢的。
紫光内存产品列表
在2017年末，电商平台流出了少量紫光DDR3内存，其DRAM技术来源于紫光集团收购的英飞凌科技下在存储事业部，并且产能一直不足，良品率低的问题也没解决，所以并未正式售卖。
2018年2月28日，紫光集团宣布旗下的DDR4内存将在年内逐步推向市场，坦然承认其销售规模不会太高，对年度财报影响较小。
紫光DDR4内存前期***用海力士颗粒
目前我们可以购买到未经公开销售的紫光DDR4内存，这款内存还没有***用紫光颗粒，原因当然还是DRAM产能不足。***用紫光颗粒的DDR3内存表现还可以，经过网友们测试，紫光DDR3内存可以在默认电压下超频至2000MHz。不过这也没什么可奇怪的，毕竟DDR3内存的行业标准就这样。
到此，以上就是小编对于nand市场趋势的问题就介绍到这了，希望介绍关于nand市场趋势的4点解答对大家有用。
